因涉嫌将三星开发的核心晶片技术——20奈米制程资料泄露给中国，三星前高层崔珍奭今日（6日）被执法当局羁押。
韩联社和朝鲜日报引述首尔警察厅产业技术安全侦查队消息指出，66岁的崔珍奭及60岁前首席研究员吴某落网。他们涉嫌违反《产业技术法》和《防止不正当竞争及商业秘密保护法》，将生产20奈米制程晶片所需的温度、压力等700多个工艺流程图，泄露给中国成都企业进行产品研发。
与此同时，首尔中央地方法院基于担忧崔珍奭有潜逃风险，昨日发出逮捕令。崔珍奭的律师则表明，当事人否认新的指控。
外媒分析指，最新行动凸显韩国在打击产业间谍与放缓中国取得晶片制造进展的行动。
疑”复刻”半导体厂窃三星机密 半导体权威崔珍奭去年曾落网
一度被视为韩国晶片产业的明星崔珍奭，过去曾先后担任三星电子常务、SK海力士副社长。他在三星工作17年，期间开发了动态随机存取记忆体（DRAM）晶片，并参与研发晶圆制程，推进三星DRAM晶片技术，并在公司内部获奖。
崔珍奭后来创办的新加坡顾问公司碁诺半导体（Jin Semiconductor）于2018年8月替鸿海在中国打造半导体制造厂的合约。当时他从三星和其子公司挖走了人才，并涉嫌取得机密资料。
因涉嫌窃取三星电子晶片工厂设计图，并意图”复刻”20奈米制程的半导体工程，去年6月崔珍奭曾被拘留，并于去年11月保释外出。
